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onsemi NVMTS0D7N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 477 A 294,6 W, 8-Pin DFNW8

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-1858161

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NVMTS0D7N06CLTXG

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 477 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFNW8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 900 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 294,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 8mm
Höhe = 1.15mm

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	477 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	DFNW8
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	900 μΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	294,6 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	±20 V
Breite:	8mm
Höhe:	1.15mm

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Weitere Suchbegriffe: 1858161, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMTS0D7N06CLTXG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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