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| Artikel-Nr.:
822EL-1859107 Herst.-Nr.:
NSVJ6904DSB6T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 mA
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = CPH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Breite = 1.6mm
Höhe = 0.85mm
Der NSVJ6904DSB6 ist ein JFET-Verbundtyp, der für kompakte Abmessungen und hohe Effizienz entwickelt wurde und eine hohe Verstärkungsleistung erzielt. Dieses PPAP-fähige Gerät eignet sich für den Einsatz in der Automobilindustrie.Übermittlungszulassung hoch vorwärts / yfs / Kleine Kapazität Ciss Besonders rauscharme Figur Bleifrei und halogenfrei Das CPH6-Gehäuse ist pinkompatibel mit SC-74 PPAP-fähig Dualer Typ Aktivieren Sie den Empfang von Signalen mit geringem Pegel Hohe Verstärkung Aktivieren Sie den Empfang von Signalen mit geringem Pegel Umwelt Betrachtung Ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen Für die Automobilindustrie Der Montagebereich wird durch die Integration von zwei JFETs des NSVJ3910SB3 in ein CPH6-Paket deutlich reduziert, verglichen mit zwei separaten Paketen Anwendungen Am-Tuner HF-Verstärkung Rauscharmer Verstärker Endprodukte Autoradio Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | CPH | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Breite: | 1.6mm | Höhe: | 0.85mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1859107, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NSVJ6904DSB6T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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