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| Artikel-Nr.:
822EL-1859177 Herst.-Nr.:
FFSB1065B-F085 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = D2PAK
Dauer-Durchlassstrom max. = 27A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 650A
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und -kosten.Max. Abschlusstemperatur 175 °C. Hohe Spitzenstrom-Kapazität Positiver Temperaturkoeffizient Einfacher Parallelbetrieb Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung Anwendungen Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK | Dauer-Durchlassstrom max.: | 27A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 650A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 1859177, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, FFSB1065BF085, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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