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| Artikel-Nr.: 822EL-1859298 Herst.-Nr.: NCV1060BD100R2G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Schaltfrequenz max. = 65 kHz Ausgangsspannung = 670 V Ausgangsstrom = 300 mA Abfallzeit = 10ns Gehäusegröße = SOICns Pinanzahl = 10 Tastverhältnis max. = 72% Länge = 5mm Breite = 4mm Höhe = 1.75mm Arbeitsspannnung max. = 9 V
Integrierter 670-V-MOSFET mit RDS(on) von 34 Ω Großer Kriechstrecke zwischen Hochspannungsstiften Einstellbarer Peak Current bis zu 250 Direkter Rückkopplungsanschluss für nicht isolierte Wandler Interner und einstellbarer Überstromschutzschaltkreis (OPP) Kurzschlussschutz am Ausgang mit automatischer Fehlerbehandlung mit zeitgeberbasierter Erkennung Strommodus-Betrieb mit fester Frequenz - 60 oder 100 kHz Mit (A-Version) oder ohne (B-Version) AC-Eingangsspannungs-Leitungserkennung Frequenz-Jitter (einschließlich während des Frequenz-Foldback-Modus) Bis zu 8 W SMPS-Ausgangsleistung Sicherere und robustere Bauweise auch mit SMD-Gehäusen Anwendungen im KFZ-Bereich Erhöhte Skalierbarkeit des Designs Einfachere und kostengünstigere Buck- oder Buck-Boost-Designs Nicht ableitfähige proprietäre Technik zum Selbstschutz der Last Bietet robusteren Schutz, ohne sich um die Kopplung der Aux kümmern zu müssen Ability zur Skalierung für Effizienz oder Größe Verbesserter Schutz vor Fehlern bei zu niedriger AC-Leitung oder für Netzteil mit Vin bis zu 21 V dc Bessere EMI-Signatur über den gesamten Betriebsbereich Anwendungen EV-Hilfsnetzteil Endprodukte Integrierte Ladegeräte Traktionsinverter Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Schaltfrequenz max.: | 65 kHz | Ausgangsspannung: | 670 V | Ausgangsstrom: | 300 mA | Abfallzeit: | 10ns | Gehäusegröße: | SOICns | Pinanzahl: | 10 | Tastverhältnis max.: | 72% | Länge: | 5mm | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.75mm | Arbeitsspannnung max.: | 9 V |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1859298, Halbleiter, Stromversorgung, Pulsbreitenmodulation, onsemi, NCV1060BD100R2G, Semiconductors, Power Management ICs, PWM |
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