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| Artikel-Nr.:
822EL-1867382 Herst.-Nr.:
FDMA420NZ EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = MicroFET 2 x 2
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2,4 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2 x 2 x 0.72mm
Dieser Einkanal-MOSFET wurde mit einem Advanced Power Trench Prozess zur Optimierung des RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen MicroFET-Leiterrahmen entwickelt.RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 5,7 A RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 5,0 A. Flaches Profil - max. 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2 x 2 mm HBM ESD-Schutzstufe 2,5 k V typisch (Hinweis 3) Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | MicroFET 2 x 2 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,4 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2 x 2 x 0.72mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1867382, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDMA420NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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