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| Artikel-Nr.:
822EL-1867501 Herst.-Nr.:
MBRM110ET1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = Fall 457-04
Dauer-Durchlassstrom max. = 1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 10V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 5
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 50A
Niedriger IR verlängert die Akkulaufzeit Niedriges Profil - Maximale Höhe von 1,1 mm Kleine Stellfläche - Stellfläche 8,45 mm2 150 °C Betriebstemperatur der Anschlussstelle Niedriger Wärmewiderstand mit direktem Thermoweg der Matrize am freiliegenden Kathodenkühlkörper Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Geformtes Epoxidharz Gewicht: Ca. 62 mg (ca.) Leiter- und Montagetemperatur für Lötzwecke: Max. 260 °C für 10 Sekunden Bleifreie Gehäuse sind verfügbar PPAP-fähig NRVB-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, für die besondere Anforderungen an Standort und Kontrolländerungen erforderlich sind Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | Fall 457-04 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 1A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 10V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 5 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 50A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 1867501, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, MBRM110ET1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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