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| Artikel-Nr.: 822EL-1867976 Herst.-Nr.: MJE5730G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 40 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltmodustreiber und andere Schaltanwendungen ausgelegt.300 V bis 400 V (min.) - VCEO(sus) 1,0 A Nennstrom des Kollektors Beliebtes TO-220 Kunststoffgehäuse PNP-Ergänzungen zur Serie TIP47 bis TIP50 Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –300 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1867976, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE5730G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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