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| Artikel-Nr.:
822EL-1868019 Herst.-Nr.:
MJB45H11G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 50 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 50 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 2 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJB45H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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