| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-1868019 Herst.-Nr.: MJB45H11G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 50 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc Pinanzahl = 2 + Tab Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 50 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 2 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJB45H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |