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| Artikel-Nr.:
822EL-1868517 Herst.-Nr.:
MMBT589LT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 710 mW
Gleichstromverstärkung min. = 100
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = -5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Niedrige VCE(sat) Bipolartransistoren sind oberflächenmontierte Miniaturgeräte mit extrem niedriger Sättigungsspannung VCE(sat) und hoher Stromverstärkung. Diese sind für den Einsatz in Anwendungen mit niedriger Spannung und hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen eine kostengünstige effiziente Energiesteuerung wichtig ist.Low rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine Bleifreie Gehäuse sind verfügbar NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 710 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | -5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868517, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT589LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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