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| Artikel-Nr.:
822EL-1868816 Herst.-Nr.:
MSB92ASWT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 120
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = -5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 0.9mm
Dieser Bipolartransistor für Hochspannungs-PNP wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Dieses Gerät ist im SC-70/SOT-323-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Bleifreies Gehäuse erhältlich Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –300 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 120 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | -5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MSB92ASWT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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