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Vishay SUP60020E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-1884929
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP60020E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.65mm
Höhe = 9.01mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
150 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
2,8 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
375 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
4.65mm
Höhe:
9.01mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 1884929, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUP60020EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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