Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

Speicher Größe = 256kbit
Organisation = 32 K x 8 bit
Anzahl der Wörter = 32k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 8bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 28
Abmessungen = 11.9 x 8.1 x 1.15mm
Arbeitsspannnung max. = 5,5 Vmm
Betriebstemperatur min. = –40 °Cmm

Temperaturbereich -40 °C bis 85 °C. Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C. Hohe Geschwindigkeit TAA = 10 ns Niedrige Wirkleistung ICC = 80 mA bei 10 ns Geringe CMOS-Standby-Leistung ISB2 = 3 mA 2,0 V Data Ret Automatische Abschaltung bei Deaktivierung Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen