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| Artikel-Nr.:
822EL-1885422 Herst.-Nr.:
FM25V20A-DG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 2MBit
Organisation = 256K x 8 bit
Interface-Typ = SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 16ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DFN
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 6 x 5 x 0.7mm
Länge = 5mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm
Höhe = 0.7mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
FRAM, Cypress-Halbleiter. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 2MBit | Organisation: | 256K x 8 bit | Interface-Typ: | SPI | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 16ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DFN | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 6 x 5 x 0.7mm | Länge: | 5mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 Vmm | Höhe: | 0.7mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885422, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM25V20ADG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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