IXYS HiperFET, Polar IXFH26N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 26 A 460 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 460 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 72 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS