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IXYS HiperFET, Polar IXFH36N60P N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-194467

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH36N60P

EAN/GTIN:
5059041201032

Suchbegriffe:

Fast-Recoverydiode
Fastrecoverygleichrichterdiode
MOSFET
MOSFET-Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	36 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	190 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Verlustleistung max.:	650 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff:	Si
Höhe:	21.46mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, ixys mosfet, mosfet, 194467, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH36N60P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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