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| Artikel-Nr.:
822EL-2006853 Herst.-Nr.:
SiZ240DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A, 48 A.
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3 S.
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = TrenchFET® Gen IV
Die Vishay SIZ240DT-T1-GE3 ist ein zweifach-N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFETs.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe 100 % Rg- und UIS-getestet Optimiertes QGS/QGS-Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 47 A, 48 A. | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAIR 3 x 3 S. | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0133 O, 0,00805 O, 0,00841 O, 0,01225 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | TrenchFET® Gen IV |
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| Weitere Suchbegriffe: 2006853, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiZ240DTT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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