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Vishay E SIHU6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2006868
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHU6N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A, 5 A.
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Serie = E
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der Vishay sihuu6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität (Ziss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Lawinenenergie (UIS) Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
3,2 A, 5 A.
Drain-Source-Spannung max.:
850 V
Serie:
E
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,95 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 2006868, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHU6N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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