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| Artikel-Nr.:
822EL-2052456 Herst.-Nr.:
NTMFS3D6N10MCLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 131 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DFN5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal MOSFET hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 100 V und einen Dauerablassstrom von 131 A. Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.Der Widerstand zwischen Drain und Quelle bei eingeschaltetem Zustand beträgt 3,6 mohm Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten Synchroner Gleichrichter in DC/DC und AC/DC Kleine Abmessungen (5 mm x 6 mm) für kompakte Bauweise Motorantrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 131 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DFN5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,6 mΩ | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2052456, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS3D6N10MCLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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