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| Artikel-Nr.: 822EL-2074976 Herst.-Nr.: PM100CG1B120#300G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 100 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Anzahl an Transistoren: | 6 | Gehäusegröße: | Modul | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2074976, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, PM100CG1B120#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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