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| Artikel-Nr.:
822EL-2105010 Herst.-Nr.:
SiSS30ADN-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 54,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0074 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 54,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0074 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2 → 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2105010, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSS30ADNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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