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| Artikel-Nr.:
822EL-2105048 Herst.-Nr.:
SQJ912DEP-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Dual
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0059 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Der zweifache N-Kanal-MOSFET Vishay Automotive 40 V (D-S) 175 °C hat das Gehäuse PowerPAK SO-8L.TrenchFET® Leistungs-MOSFET AEC-Q101-qualifiziert 100 % Rg- und UIS-geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8L Dual | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0059 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5 → 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2105048, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ912DEPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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