STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 72 A, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der Mesh-DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen Mesh-Schnellerzeugung kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.Entwickelt für Kfz-Anwendungen Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand 100%ig auf Stoßentladung geprüft Extrem hohe dv/dt-Robustheit Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiber-Quellstifts Zenerdioden-geschützt