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| Artikel-Nr.: 822EL-2108749 Herst.-Nr.: STW68N65DM6-4AG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 72 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mΩ | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2108749, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW68N65DM64AG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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