Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
822EL-2144327 Herst.-Nr.:
BSC117N08NS5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 49 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0117 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 49 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0117 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2144327, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC117N08NS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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