Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
822EL-2144375 Herst.-Nr.:
IPD50N06S2L13ATMA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0127 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0127 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2144375, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD50N06S2L13ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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