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| Artikel-Nr.:
822EL-2144380 Herst.-Nr.:
IPD530N15N3GATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,053 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS 3
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassenEs ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 21 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,053 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2144380, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD530N15N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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