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| Artikel-Nr.: 822EL-2144396 Herst.-Nr.: IPD80R1K4CEATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS CE Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS CE |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2144396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD80R1K4CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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