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| Artikel-Nr.:
822EL-2148953 Herst.-Nr.:
AUIRFR540Z EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0285 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Sehr niedriger Einschaltwiderstand Kfz-zugelassen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0285 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2148953, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRFR540Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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