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| Artikel-Nr.:
822EL-2148966 Herst.-Nr.:
BSB104N08NP3GXUSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = MG-WDSON-2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0104 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Die Infineon OptiMOS-Serie ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und den Energieverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Diese bestehen aus einer Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren in Hochleistungspaketen, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten.Geringe parasitäre Induktivität Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Beidseitige Kühlung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | MG-WDSON-2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0104 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2148966, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSB104N08NP3GXUSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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