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| Artikel-Nr.:
822EL-2148979 Herst.-Nr.:
BSC0996NSATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 34 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,009 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.Sie verfügt über ein verbessertes Schaltverhalten 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 34 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,009 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2148979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC0996NSATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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