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| Artikel-Nr.:
822EL-2149091 Herst.-Nr.:
IPP60R090CFD7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS CFD7
Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.Ultraschnelle Gehäusediode Niedrige Gateladung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,09 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS CFD7 |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2149091, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R090CFD7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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