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| Artikel-Nr.:
822EL-2149112 Herst.-Nr.:
IPSA70R950CEAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = CoolMOS CE
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.Einfach zu verwenden/zu treiben Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Zugelassen für Standardanwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,95 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | CoolMOS CE |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149112, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPSA70R950CEAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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