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Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPN70R360P7SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin SOT-223


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2152526
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPN70R360P7SATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
700 V
Gehäusegröße:
SOT-223
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,36 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 2152526, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN70R360P7SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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