Infineon CoolMOS™ IPN95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin SOT-223

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die Infineon Serie 950V Cool MOS TM P7 wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V Cool MOS TM P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Mit 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS TM C3 bietet die Serie 950V Cool MOS TM P7 eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS TM P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS TM P7 wurde mit klassenbesten VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Einfahren und Design erleichtert.Best-in-Class FOMRDS(on) * Eoss Reduzierte Qg, Ziss und Coss Erstklassiger SOT-223 RDS(on) Beste Qualität und Zuverlässigkeit von Cool MOS Vollständig optimiertes Portfolio