Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
822EL-2152573 Herst.-Nr.:
IRF250P225 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = StrongIRFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,022 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 69 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Serie: | StrongIRFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,022 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, 2152573, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF250P225, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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