Infineon HEXFET IRF7311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,029 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Kabelrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrize-Fähigkeit modifiziert und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Mit dieser Verbesserung können mehrere Geräte in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz verwendet werden. Das Gehäuse ist für Dampfphase, Infrarot für Schwall-Lötverfahren ausgelegt.Generation V-Technologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Oberflächenmontage Vollständig lawinengeprüft Zweifach-N-Kanal-MOSFET