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| Artikel-Nr.:
822EL-2156619 Herst.-Nr.:
AIKW50N60CTXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Pinanzahl = 3
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und weicher, schneller Erholung und antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode von Infineon Fieldstop.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO263-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156619, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIKW50N60CTXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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