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| Artikel-Nr.:
822EL-2156642 Herst.-Nr.:
IHW40N135R5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±25 V
Verlustleistung max. = 394 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate aus resonanter Schaltserie mit niedriger Sättigungsspannung.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1350 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±25 V | Verlustleistung max.: | 394 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156642, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW40N135R5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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