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| Artikel-Nr.: 822EL-2172499 Herst.-Nr.: IPAN60R800CEXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolMOS™ Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 800 mO Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on) Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr) Optimierte integrierte R g. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172499, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPAN60R800CEXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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