Infineon CoolMOS™ C7 IPP60R040C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS™ C7

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie bietet eine ∼50%ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein herausragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen (Gesamtbetriebskosten) wie Hyperdatencenter und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die CoolMOS TM C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Fall eines 2,5-kW-Servernetzteils beispielsweise kann die Verwendung von 600-V-CoolMOS-C7-SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % bei PSU-Energieverlust führen.Reduzierte Schaltverlustparameter wie Q G, C oss, E oss Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on) Erhöhte Schaltfrequenz Bestes R (on)*A der Welt Robuste Gehäusediode