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| Artikel-Nr.: 822EL-2173647 Herst.-Nr.: 70V05L20PFGI EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Speicher Größe = 64kbit Organisation = 8 K x 8 Anzahl der Wörter = 8K Anzahl der Bits pro Wort = 8bit Zugriffszeit max. = 20ns Adressbusbreite = 16bit Low Power = Ja Timing Typ = Asymmetrisch Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TQFP-64 Pinanzahl = 64 Abmessungen = 14 x 14 x 1.4mm Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm Betriebstemperatur max. = +85 °Cmm
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM der Serie Renesas Electronics 70V05 mit 8 x 8 Dual-Port wurde für den Einsatz als eigenständiger 64-K-Bit-SRAM mit zwei Anschlüssen oder als Kombination aus MASTER/SLAVE-SRAM mit zwei Anschlüssen für 16-Bit- oder mehr-Wortsysteme entwickelt. Er hat 64 Anschlusswerte und hat den TQFP-Gehäusetyp.Echte Dual-Ported-Speicherzellen, die gleichzeitiges Lesen des ermöglichen Gleiche Speicherposition 70 V05 erweitert die Datenbusbreite einfach auf 16 Bit oder Mehr Interrupt-Kennzeichnung Vollständige On-Chip-Hardware-Unterstützung der Semaphor-Signalisierung zwischen den Anschlüssen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Speicher Größe: | 64kbit | Organisation: | 8 K x 8 | Anzahl der Wörter: | 8K | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 20ns | Adressbusbreite: | 16bit | Low Power: | Ja | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TQFP-64 | Pinanzahl: | 64 | Abmessungen: | 14 x 14 x 1.4mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 Vmm | Betriebstemperatur max.: | +85 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2173647, Halbleiter, Speicherbausteine, Renesas Electronics, 70V05L20PFGI, Semiconductors, Memory Chips |
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