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| Artikel-Nr.:
822EL-2182988 Herst.-Nr.:
IAUA200N04S5N010AUMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,001 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS\ -5-Serie. Er wird für den Einsatz in der Automobilindustrie verwendet.N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel MSL3 bis zu 260 °C Peak Reflow 175 °C Betriebstemperatur 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,001 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, 2182988, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IAUA200N04S5N010AUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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