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| Artikel-Nr.: 822EL-2182988 Herst.-Nr.: IAUA200N04S5N010AUMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 200 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 0,001 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS\ -5-Serie. Er wird für den Einsatz in der Automobilindustrie verwendet.N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel MSL3 bis zu 260 °C Peak Reflow 175 °C Betriebstemperatur 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,001 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, 2182988, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IAUA200N04S5N010AUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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