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| Artikel-Nr.:
822EL-2183093 Herst.-Nr.:
IRF100P218XKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 483 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = StrongIRFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00128 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.Besonders niedriger RDS(ein) Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on) (FOM) Optimierte Qrr 175 °C Betriebstemperatur Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 483 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | StrongIRFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00128 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2183093, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF100P218XKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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