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| Artikel-Nr.: 822EL-2183102 Herst.-Nr.: IRF6775MTRPBF EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH Montage-Typ = SMD Drain-Source-Widerstand max. = 0,056 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Transistor-Werkstoff = Si Serie = HEXFET Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 28 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,056 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2183102, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6775MTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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