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Infineon CoolMOS™ IPP80R1K4P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2196009
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPP80R1K4P7XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,14 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
4 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Serie:
CoolMOS™
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,14 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2196009, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP80R1K4P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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