|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-2196019 Herst.-Nr.:
IPW60R024P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 386 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Der Infineon 600 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG Integrierter Torwiderstand RG Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien wie PFC und LLC geeignet Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode in LLC-Topologie Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 386 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,024 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2196019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R024P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |