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| Artikel-Nr.:
822EL-2207373 Herst.-Nr.:
IPB015N04NGATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0015 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Ideal für schnelle Schaltanwendungen Höchste Systemeffizienz Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Senkung der Systemkosten Sehr niedrige Spannungsübersteuerung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0015 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207373, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB015N04NGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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