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| Artikel-Nr.: 822EL-2207391 Herst.-Nr.: IPB65R065C7ATMA2 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 145 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.650 V Spannung Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss) Niedrigere Gate-Ladung Qg. Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 145 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,065 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207391, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R065C7ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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