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| Artikel-Nr.:
822EL-2207437 Herst.-Nr.:
IPN60R600P7SATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,6 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet sot-223, 2207437, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN60R600P7SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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