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Infineon CoolMOS™ P7 IPZA60R060P7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 4-Pin TO-247-4


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2207466
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPZA60R060P7XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 151 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,06 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
151 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-247-4
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,06 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, diode infineon, dual transistor, 2207466, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPZA60R060P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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